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含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

张开彪 马书懿 马自军 陈海霞

西北师范大学学报(自然科学版)2005,Vol.41Issue(5):37-39,3.
西北师范大学学报(自然科学版)2005,Vol.41Issue(5):37-39,3.

含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

Numerical study of electroluminescence from Si/SiO2 films

张开彪 1马书懿 1马自军 1陈海霞1

作者信息

  • 1. 西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070
  • 折叠

摘要

关键词

含纳米硅的二氧化硅薄膜/电致发光/位形坐标

分类

数理科学

引用本文复制引用

张开彪,马书懿,马自军,陈海霞..含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析[J].西北师范大学学报(自然科学版),2005,41(5):37-39,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(60276015) (60276015)

教育部科学技术研究项目(204139) (204139)

西北师范大学学报(自然科学版)

1001-988X

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