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低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

曾健平 田涛 刘利辉 晏敏

湖南大学学报(自然科学版)2005,Vol.32Issue(5):37-40,4.
湖南大学学报(自然科学版)2005,Vol.32Issue(5):37-40,4.

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

Design of CMOS Bandgap Voltage Reference with Low power and High PSRR

曾健平 1田涛 1刘利辉 1晏敏1

作者信息

  • 1. 湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082
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摘要

关键词

CMOS集成电路/低功耗/共源共栅电流镜/高电压源抑制比/带隙基准

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曾健平,田涛,刘利辉,晏敏..低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计[J].湖南大学学报(自然科学版),2005,32(5):37-40,4.

基金项目

湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115) (05JJ30115)

湖南大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCD

1674-2974

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