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Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

郭建云 郑广 何开华 陈敬中

物理学报2008,Vol.57Issue(6):3740-3746,7.
物理学报2008,Vol.57Issue(6):3740-3746,7.

Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

First-principles study on electronic structure and optical properties of Al and Mg doped GaN

郭建云 1郑广 2何开华 3陈敬中2

作者信息

  • 1. 中国地质大学材料科学与化学工程学院,武汉 430074
  • 2. 中国地质大学数学与物理学院,武汉 430074
  • 3. 中国地质大学材料模拟与计算物理研究所,武汉 430074
  • 折叠

摘要

关键词

GaN晶体/电子结构/光学性质/掺杂

分类

数理科学

引用本文复制引用

郭建云,郑广,何开华,陈敬中..Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究[J].物理学报,2008,57(6):3740-3746,7.

基金项目

湖北省杰出青年科学基金(批准号:2006ABB031资助的课题. ()

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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