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p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

余学功 杨德仁 马向阳 汤艳 李东升 李立本 阙端麟

半导体学报2002,Vol.23Issue(4):377-381,5.
半导体学报2002,Vol.23Issue(4):377-381,5.

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

Electrical Characteristic of Oxygen-Related Donors in p-Type Czochralski Silicon

余学功 1杨德仁 1马向阳 1汤艳 1李东升 1李立本 1阙端麟1

作者信息

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

直拉硅/氮氧复合体/热施主

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

余学功,杨德仁,马向阳,汤艳,李东升,李立本,阙端麟..p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性[J].半导体学报,2002,23(4):377-381,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:50032010,69976025) (批准号:50032010,69976025)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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