半导体学报Issue(5)：378,1.
分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究
于梅芳 1杨建荣 2王善力 3陈新强 3乔怡敏 3巫艳 3何力 3韩培德3
作者信息
- 1. 半导体薄膜材料研究中心及约外物理国家重点实验室
- 2. 中国科学院北京电子显微镜实验室
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摘要
关键词
分子束外延/位错/HgCdTe薄膜/密度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
于梅芳,杨建荣,王善力,陈新强,乔怡敏,巫艳,何力,韩培德..分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究[J].半导体学报,1999,(5):378,1.
