半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：378-380,3.
n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触
Ohmic Contact on SiC Using n+ Polysilicon/n+ SiC Heterojunction
摘要
关键词
SiC/欧姆接触/多晶硅/异质结分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张林,张义门,张玉明,汤晓燕..n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触[J].半导体学报,2006,27(z1):378-380,3.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376001),国防科技重点实验室(批准号:51432040103D0102)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904)资助项目 （批准号:60376001）
