半导体学报2000，Vol.21Issue(4)：378-382,5.
MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火
Bias Annealing of Radiation Induced Positive Trapped Charges in Metal Oxide Semiconductor Transistor
姚育娟 1张正选 2姜景和 1何宝平 1罗尹虹1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所，西安 710024
- 2. 西安交通大学，西安 710049
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摘要
关键词
偏压退火/辐照引起的陷阱正电荷/MOS晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姚育娟,张正选,姜景和,何宝平,罗尹虹..MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火[J].半导体学报,2000,21(4):378-382,5.
