半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：379-381,3.
4H-SiC MESFET结构外延生长技术
Epitaxial Growth of 4H-SiC MESFET Structures
李哲洋 1董逊 1柏松 1陈刚 1陈堂胜 1陈辰1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016
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摘要
关键词
4H-SiC/MESFET/SEM/SIMS/汞探针C-V分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李哲洋,董逊,柏松,陈刚,陈堂胜,陈辰..4H-SiC MESFET结构外延生长技术[J].半导体学报,2007,28(z1):379-381,3.
