无机材料学报2004，Vol.19Issue(2)：379-384,6.
低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌
Growth Rate and Surface Morphology of Silicon Nitride Thin Films by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
摘要
关键词
LPCVD/氮化硅薄膜/沉积速率/表面形貌分类
通用工业技术引用本文复制引用
刘学建,金承钰,张俊计,黄智勇,黄莉萍..低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌[J].无机材料学报,2004,19(2):379-384,6.基金项目
上海市科技发展基金(00JC14015) （00JC14015）
