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电子学报
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用1/f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性
用1/f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性
庄奕琪
孙青
侯洵
电子学报
Issue(5)：38,1.
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电子学报
Issue(5)
：38,1.
用1/f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性
庄奕琪
1
孙青
1
侯洵
1
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摘要
关键词
1／f噪声
/
不稳定性
/
MOSFET
/
场效应器件
分类
信息技术与安全科学
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庄奕琪,孙青,侯洵..用1/f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性[J].电子学报,1996,(5):38,1.
基金项目
国家教委基金 （）
电子学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
0372-2112
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