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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

李昱峰 韩培德 陈振 黎大兵 王占国 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度

发光学报2003,Vol.24Issue(4):380-384,5.
发光学报2003,Vol.24Issue(4):380-384,5.

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

Induced Growth and Optical Property Study of InGaN Quantum Dots

李昱峰 1韩培德 2陈振 1黎大兵 1王占国 1刘祥林 1陆大成 1王晓晖 1汪度1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 2. 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

InGaN/量子点/诱导生长/微观形貌/发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,王占国,刘祥林,陆大成,王晓晖,汪度..InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究[J].发光学报,2003,24(4):380-384,5.

基金项目

国家自然科学基金(60086001) (60086001)

国家重点基础研究专项经费(G20000683)资助项目 (G20000683)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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