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界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

张春福 郝跃 游海龙 张金凤 周小伟

物理学报2005,Vol.54Issue(8):3810-3814,5.
物理学报2005,Vol.54Issue(8):3810-3814,5.

界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

Influence of interface dipoles on the UV/Solar rejection ratios of GaN/AIGaN/GaN photodetectors

张春福 1郝跃 1游海龙 1张金凤 1周小伟1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学研究所,宽禁带材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

紫外/太阳光选择比/太阳盲区探测器/极化/电偶极子

分类

数理科学

引用本文复制引用

张春福,郝跃,游海龙,张金凤,周小伟..界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响[J].物理学报,2005,54(8):3810-3814,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:51327020301)资助的课题. (批准号:51327020301)

物理学报

OA北大核心CSCDSCI

1000-3290

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