PECVD SiC材料刻蚀技术

陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇

半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：381-384,4.

Etching Characteristics of PECVD SiC

陈晟 ¹李志宏 ¹张国炳 ¹郭辉 ¹王煜 ¹田大宇¹

作者信息

PECVD/碳化硅/反应离子刻蚀/电感耦合离子刻蚀/氢含量/功率

信息技术与安全科学

陈晟,李志宏,张国炳,郭辉,王煜,田大宇..PECVD SiC材料刻蚀技术[J].半导体学报,2006,27(z1):381-384,4.

北京市自然科学基金资助项目(批准号:4052017) （批准号:4052017）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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