电子器件2004，Vol.27Issue(3)：381-384,4.
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
Development of AlGaN/GaN Power HEMTs Grown on Sapphire Substrates
摘要
关键词
AlGaN/GaN/HEMT/微波功率/单位截止频率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邵刚,刘新宇,和致经,刘键,魏珂,陈晓娟,吴德馨..蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制[J].电子器件,2004,27(3):381-384,4.基金项目
国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB311903) （2002CB311903）
中国科学院重点创新资助项目(KGCX2-SW-107). （KGCX2-SW-107）
