人工晶体学报2009，Vol.38Issue(2)：382-386,5.
氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池
Selective Emitter Silicon Solar Cells with Silicon Nitride Mask
艾凡凡 1黄治国 2张光春 1顾晓峰 2李果华 3汪义川 1杨健 2陈如龙 2贾积凯 2张杰2
作者信息
- 1. 江南大学理学院,无锡,214122
- 2. 尚德电力控股有限公司,无锡,214028
- 3. 江南大学信息工程学院,无锡,214122
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摘要
关键词
晶体硅太阳电池/选择性发射极/PECVD/氮化硅掩膜分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
艾凡凡,黄治国,张光春,顾晓峰,李果华,汪义川,杨健,陈如龙,贾积凯,张杰..氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池[J].人工晶体学报,2009,38(2):382-386,5.
