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掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

皇甫鲁江 朱长纯 淮永进

物理学报2002，Vol.51Issue(2)：382-388,7.
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物理学报2002，Vol.51Issue(2)：382-388,7.

掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

The influences of doping on the emission characteristic of a silicon emitter

皇甫鲁江 1朱长纯 1淮永进2

作者信息

  • 1. 西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710049
  • 2. 北京东方电子集团,北京 100016
  • 折叠

摘要

关键词

硅/掺杂/场致发射

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

皇甫鲁江,朱长纯,淮永进..掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响[J].物理学报,2002,51(2):382-388,7.

基金项目

国家自然科学基金资助的课题. （）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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