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量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化

杨靖波 王荣 孙旭芳 刘运宏 段立颖

北京师范大学学报(自然科学版)2005,Vol.41Issue(4):383-385,3.
北京师范大学学报(自然科学版)2005,Vol.41Issue(4):383-385,3.

量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化

PERFORMANCE DEGRADATION OF MULTI-QUANTUM WELL GaAs SOLAR CELLS AS A FUNCTION OF PROTON IRRADIATION FLUENCE 1×109 cm-2 TO 2×1013 cm-2

杨靖波 1王荣 1孙旭芳 2刘运宏 3段立颖1

作者信息

  • 1. 北京师范大学低能核物理研究所
  • 2. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
  • 3. 北京市辐射中心 100875,北京
  • 折叠

摘要

关键词

量子阱/GaAs太阳电池/质子辐照

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨靖波,王荣,孙旭芳,刘运宏,段立颖..量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化[J].北京师范大学学报(自然科学版),2005,41(4):383-385,3.

基金项目

北京市优秀人才基金资助项目 ()

北京市自然科学基金资助项目(1052009) (1052009)

北京师范大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSSCI

0476-0301

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