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静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

方再利 苏付海 马宝珊 丁琨 韩和相 李国华 苏萌强 葛惟锟

红外与毫米波学报2004，Vol.23Issue(1)：38-42,5.
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红外与毫米波学报2004，Vol.23Issue(1)：38-42,5.

静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

PHOTOLUMINESCENCE OF Te ISOELECTRONIC CENTERS IN ZnS:Te UNDER HYDROSTATIC PRESSURE

方再利 1苏付海 1马宝珊 1丁琨 1韩和相 1李国华 1苏萌强 2葛惟锟2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083
  • 2. 香港科技大学物理系,香港
  • 折叠

摘要

关键词

光致发光/流体静压/Te等电子陷阱/ZnS∶Te

分类

数理科学

引用本文复制引用

方再利,苏付海,马宝珊,丁琨,韩和相,李国华,苏萌强,葛惟锟..静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光[J].红外与毫米波学报,2004,23(1):38-42,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(60176008) （60176008）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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