红外技术2005，Vol.27Issue(5)：384-387,4.
碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究
The Bulk Crystal Growth Technology of High Compositional Uniformity Hg1-xCdxTe Use Te as Solvent
李富培 1李玉德 1郭云成 1庄维莎 1刘新进1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
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摘要
关键词
碲镉汞/红外材料/组分均匀性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李富培,李玉德,郭云成,庄维莎,刘新进..碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究[J].红外技术,2005,27(5):384-387,4.
