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InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

陈小雪 滕利华 刘晓东 黄绮雯 文锦辉 林位株 赖天树

物理学报2008,Vol.57Issue(6):3853-3856,4.
物理学报2008,Vol.57Issue(6):3853-3856,4.

InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

Study of injection and relaxation of electron spins in InGaN film by time-resolved absorption spectroscopy

陈小雪 1滕利华 1刘晓东 1黄绮雯 1文锦辉 1林位株 1赖天树1

作者信息

  • 1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275
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摘要

关键词

电子自旋/InGaN/自旋极化/自旋弛豫

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈小雪,滕利华,刘晓东,黄绮雯,文锦辉,林位株,赖天树..InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究[J].物理学报,2008,57(6):3853-3856,4.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60490295,60678009)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050558030)资助的课题. (批准号:60490295,60678009)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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