人工晶体学报2007，Vol.36Issue(2)：385-389,5.
分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究
Minority Carrier Lifetime in P-type Hg(1-x)CdxTe Grown by MBE
魏青竹 1吴俊 2巫艳 1陈路 2于梅芳 1傅祥良 2乔怡敏 1王伟强 2何力1
作者信息
- 1. 中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083
- 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
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摘要
关键词
HgCdTe/P型材料/As掺杂/μ-PCD/少子寿命分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
魏青竹,吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,傅祥良,乔怡敏,王伟强,何力..分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究[J].人工晶体学报,2007,36(2):385-389,5.
