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室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性

刘晓东 王玮竹 高瑞鑫 赵建华 文锦辉 林位株 赖天树

物理学报2008，Vol.57Issue(6)：3857-3861,5.
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物理学报2008，Vol.57Issue(6)：3857-3861,5.

室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性

Carrier spin relaxation in (Ga,Mn) As at room temperature

刘晓东 1王玮竹 2高瑞鑫 1赵建华 2文锦辉 1林位株 1赖天树1

作者信息

  • 1. 中山大学物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275
  • 2. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
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摘要

关键词

(Ga,Mn)As稀磁半导体/时间分辨克尔光谱/电子自旋弛豫/DP机理

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘晓东,王玮竹,高瑞鑫,赵建华,文锦辉,林位株,赖天树..室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性[J].物理学报,2008,57(6):3857-3861,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60490295,60678009,10334030)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050558030)资助的课题. （批准号:60490295,60678009,10334030）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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