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半导体学报
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LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系
LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系
杨锡权
向贤碧
吴让元
半导体学报
Issue(4)：386,1.
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半导体学报
Issue(4)
：386,1.
LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系
杨锡权
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杨锡权,向贤碧,吴让元..LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系[J].半导体学报,1985,(4):386,1.
半导体学报
ISSN：
1674-4926
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