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气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
刘学锋
刘金平
李建平
孙殿照
孔梅影
林兰英
半导体学报
Issue(5)：389,1.
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半导体学报
Issue(5)
：389,1.
气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
刘学锋
1
刘金平
1
李建平
2
孙殿照
2
孔梅影
2
林兰英
2
作者信息
1.
中国科学院半导体研究所材料中心
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摘要
关键词
GSMBE
/
硅化锗
/
外延生长
/
低温生长
/
动力学
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,林兰英..气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J].半导体学报,1998,(5):389,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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