半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：389-391,3.
两种自主开发的图形外延SiGe工艺
Two Kinds of Patterned SiGe Epitaxial Growth Technologies
徐阳 1王飞 1许军 1刘志弘 1钱佩信1
作者信息
- 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
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摘要
关键词
图形外延/SiGe/超高真空化学气相淀积分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐阳,王飞,许军,刘志弘,钱佩信..两种自主开发的图形外延SiGe工艺[J].半导体学报,2006,27(z1):389-391,3.
