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InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 林涛 江李 马晓宇

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：391-393,3.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：391-393,3.

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor

蔡道民 1李献杰 1赵永林 1刘跳 1林涛 2江李 2马晓宇2

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051
  • 2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

InP/双异质结晶体管/自对准

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡道民,李献杰,赵永林,刘跳,林涛,江李,马晓宇..InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究[J].半导体学报,2007,28(z1):391-393,3.

基金项目

国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312040)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目 （批准号:2002AA312040）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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