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直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

李志全 乔淑欣 蔡亚楠 滕峰成 张乐欣

理化检验-物理分册2006，Vol.42Issue(8)：392-395,4.
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理化检验-物理分册2006，Vol.42Issue(8)：392-395,4.

直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

MORPHOLOGICAL STUDIES OF FOROUS SILIOCN FABRICATED BY GALVANOSTATIC ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD

李志全 1乔淑欣 1蔡亚楠 1滕峰成 1张乐欣2

作者信息

  • 1. 河北燕山大学电气工程学院,秦皇岛,066004
  • 2. 河北燕山大学亚稳材料制备与科学国家重点实验室,秦皇岛,066004
  • 折叠

摘要

关键词

直流电化学腐蚀/正交实验/多孔硅/表面形貌

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

李志全,乔淑欣,蔡亚楠,滕峰成,张乐欣..直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究[J].理化检验-物理分册,2006,42(8):392-395,4.

基金项目

国家自然科学基金资助(60377002) （60377002）

理化检验-物理分册

OACSTPCD

1001-4012

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