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高压换流阀可控硅组件均压特性的研究

赵中原 朱周侠 邱毓昌 于永明 王建生

电力建设2002,Vol.23Issue(12):39-41,3.
电力建设2002,Vol.23Issue(12):39-41,3.

高压换流阀可控硅组件均压特性的研究

Study on Voltage Equalizing Characters of Controlled Silicon for HV Converter Valve

赵中原 1朱周侠 1邱毓昌 1于永明 2王建生2

作者信息

  • 1. 西安交通大学,西安市,710049
  • 2. 西安高压电器研究所,西安市,710077
  • 折叠

摘要

关键词

换流阀/可控硅/缓冲电路/优化参数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵中原,朱周侠,邱毓昌,于永明,王建生..高压换流阀可控硅组件均压特性的研究[J].电力建设,2002,23(12):39-41,3.

基金项目

国家"十五"重大科技攻关资助项目(980502B) (980502B)

电力建设

OA北大核心

1000-7229

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