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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格结构

刘义族 于福聚

天津师范大学学报(自然科学版)2001,Vol.21Issue(3):39-42,4.
天津师范大学学报(自然科学版)2001,Vol.21Issue(3):39-42,4.

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格结构

Structure of Hg1-xCdxTe-HgTe Superlattice Grown Through Bibuffer Layers on GaAs Substrate

刘义族 1于福聚2

作者信息

  • 1. 天津师范大学物理与电子信息学院
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所
  • 折叠

摘要

关键词

分子束外延/Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格/CdTe/ZnTe/GaAs异质结/X-射线衍射/透射电子显微镜

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘义族,于福聚..GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格结构[J].天津师范大学学报(自然科学版),2001,21(3):39-42,4.

天津师范大学学报(自然科学版)

1671-1114

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