半导体学报2003，Vol.24Issue(1)：39-43,5.
表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质
Growth and Property of Surface Stress Induced InGaN Quantum Dots
摘要
关键词
InGaN/量子点/MOCVD分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,王占国..表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质[J].半导体学报,2003,24(1):39-43,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60086001)和国家重点基础研究专项经费(No.G20000683)资助项目 （批准号:60086001）
