苏州科技学院学报（自然科学版）2006，Vol.23Issue(1)：39-44,6.
高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究
A Study of the Preparation of Relaxed High Ge Fraction SiGe/SOI Film
程新利 1张峰2
作者信息
- 1. 苏州科技学院,应用物理系,江苏,苏州,215009
- 2. 中科院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
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摘要
关键词
SOI/SiGe/SOI/应变/弛豫分类
数理科学引用本文复制引用
程新利,张峰..高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究[J].苏州科技学院学报（自然科学版）,2006,23(1):39-44,6.
