半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：398-401,4.
凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT
Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Field-Modulating Plate
陈堂胜 1王晓亮 2焦刚 1钟世昌 1任春江 1陈辰 1李拂晓1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016
- 2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要
关键词
宽禁带半导体/AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管/场板/凹槽栅分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈堂胜,王晓亮,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓..凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT[J].半导体学报,2007,28(z1):398-401,4.
