半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：407-410,4.
凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析
Characteristic of the Recessed-Gate AlGaN／GaN HEMT with a Field Plate
陈辰 1陈堂胜 2任春江 2薛舫时2
作者信息
- 1. 南京大学物理系,南京,210008
- 2. 单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016
- 折叠
摘要
关键词
AlGaN/GaN/高电子迁移率晶体管/场板/凹槽栅/动态测试分类
电子信息工程引用本文复制引用
陈辰,陈堂胜,任春江,薛舫时..凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析[J].半导体学报,2007,28(z1):407-410,4.
