凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析OA北大核心CSCDCSTPCD
Characteristic of the Recessed-Gate AlGaN／GaN HEMT with a Field Plate
研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.
陈辰;陈堂胜;任春江;薛舫时
南京大学物理系,南京,210008单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016
电子信息工程
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管场板凹槽栅动态测试
《半导体学报》 2007 (z1)
407-410,4
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