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椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

谷锦华 丁艳丽 杨仕娥 郜小勇 陈永生 卢景霄

物理学报2009,Vol.58Issue(6):4123-4127,5.
物理学报2009,Vol.58Issue(6):4123-4127,5.

椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

A spectroscopic ellipsometry study of the abnormal scaling behavior of high-rate-deposited microcrystalline silicon films by VHF-PECVD technique

谷锦华 1丁艳丽 1杨仕娥 1郜小勇 1陈永生 1卢景霄1

作者信息

  • 1. 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
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摘要

关键词

微晶硅薄膜/椭偏光谱法/生长机制/表面粗糙度

分类

数理科学

引用本文复制引用

谷锦华,丁艳丽,杨仕娥,郜小勇,陈永生,卢景霄..椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为[J].物理学报,2009,58(6):4123-4127,5.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)和河南省自然科学基金(批准号:82300443203)资助的课题. (批准号:2006CB202601)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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