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半导体学报
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InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究
InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究
王红梅
曾一平
周宏伟
董建荣
潘栋
潘量
孔梅影
半导体学报
Issue(6)：413,1.
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半导体学报
Issue(6)
：413,1.
InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究
王红梅
1
曾一平
1
周宏伟
2
董建荣
2
潘栋
2
潘量
2
孔梅影
2
作者信息
1.
中国科学院半导体研究所
折叠
摘要
关键词
霍尔器件
/
砷化铟
/
MBE生长
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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王红梅,曾一平,周宏伟,董建荣,潘栋,潘量,孔梅影..InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究[J].半导体学报,1998,(6):413,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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