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亚微米门阵列ASIC中地弹噪声降低技术

韩磊 张丹华 于宗光

电子器件2006，Vol.29Issue(2)：413-415,3.
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电子器件2006，Vol.29Issue(2)：413-415,3.

亚微米门阵列ASIC中地弹噪声降低技术

Reducing Technology of Ground-Bound Noise in Sub-Micro Gate-Array ASIC

韩磊 1张丹华 2于宗光1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八所,江苏,无锡,214035
  • 2. 清华大学电子工程系,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

门阵列/专用集成电路/地弹效应/降低

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

韩磊,张丹华,于宗光..亚微米门阵列ASIC中地弹噪声降低技术[J].电子器件,2006,29(2):413-415,3.

基金项目

国防科技重点实验室基金资助(51433020105DZ6802) （51433020105DZ6802）

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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