原子能科学技术2000，Vol.34Issue(Z1)：41-44,4.
新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析
Analysis and Modification of New Photoelectricity Material GaN by Ion Beam
摘要
关键词
电阻率/载流子浓度/霍尔效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姚淑德,孟兆祥,俞芃,张勇,周生强,卢一泓,张国义,童玉珍..新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析[J].原子能科学技术,2000,34(Z1):41-44,4.基金项目
中国与比利时科技合作项目(1999A1) （1999A1）
