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直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀

李战春 尹盛 赵亮 王敬义

华中科技大学学报(自然科学版)2008,Vol.36Issue(7):41-44,4.
华中科技大学学报(自然科学版)2008,Vol.36Issue(7):41-44,4.

直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀

Surface etching of silicon particulates between vertical planar electrodes

李战春 1尹盛 2赵亮 2王敬义2

作者信息

  • 1. 华中科技大学网络与计算中心 湖北,武汉,430074
  • 2. 华中科技大学电子科学技术系,湖北武汉,430074
  • 折叠

摘要

关键词

等离子体/粉粒表面刻蚀/沉降时间/刻蚀速率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李战春,尹盛,赵亮,王敬义..直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀[J].华中科技大学学报(自然科学版),2008,36(7):41-44,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(10475029). (10475029)

华中科技大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1671-4512

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