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C+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究

陈超 刘渝珍 董立军 陈大鹏 王小波

半导体学报2007,Vol.28Issue(3):415-419,5.
半导体学报2007,Vol.28Issue(3):415-419,5.

C+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究

XPS of SiCN Thin Films Prepared by C+ Implantation in Amorphous SiNx:H

陈超 1刘渝珍 1董立军 2陈大鹏 2王小波1

作者信息

  • 1. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

C+注入/SiCN/XPS/高温退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈超,刘渝珍,董立军,陈大鹏,王小波..C+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究[J].半导体学报,2007,28(3):415-419,5.

基金项目

中国科学院院长基金资助项目(批准号:936) (批准号:936)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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