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单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性

张俊艳 邓天松 沈昕 朱孔涛 张琦锋 吴锦雷

物理学报2009,Vol.58Issue(6):4156-4161,6.
物理学报2009,Vol.58Issue(6):4156-4161,6.

单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性

Electrical and optical properties of single As-doped ZnO nanowire field effect transistors

张俊艳 1邓天松 1沈昕 1朱孔涛 1张琦锋 1吴锦雷1

作者信息

  • 1. 北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871
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摘要

关键词

p型ZnO纳米线/砷掺杂/场效应晶体管/光致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

张俊艳,邓天松,沈昕,朱孔涛,张琦锋,吴锦雷..单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性[J].物理学报,2009,58(6):4156-4161,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:50672002)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936204)资助的课题. (批准号:50672002)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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