半导体学报2002，Vol.23Issue(4)：419-423,5.
考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型
Modeling on 2-D Direct Tunneling Current in Ultra-Thin Oxide nMOSFET's Considering Quantum Mechanics
摘要
关键词
MOSFET's/量子效应/栅隧穿电流/器件模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈立锋,马玉涛,田立林..考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型[J].半导体学报,2002,23(4):419-423,5.
