物理学报2007，Vol.56Issue(7)：4224-4228,5.
基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究
Study of Si-doped Sb2Te3 films for phase change memory
张祖发 1张胤 1冯洁 1蔡燕飞 2林殷茵 2蔡炳初 1汤庭鳌 2Bomy Chen3
作者信息
- 1. 上海交通大学"薄膜与微细技术"教育部重点实验室,"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室,微纳科学技术研究院,上海,200030
- 2. 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室,上海,200433
- 3. Silicon Storage Technology Inc.,Sunnyvale,CA94086,USA
- 折叠
摘要
关键词
相变存储器/硫系化合物/Si掺杂Sb2Te3薄膜/SET/RESET转变分类
化学化工引用本文复制引用
张祖发,张胤,冯洁,蔡燕飞,林殷茵,蔡炳初,汤庭鳌,Bomy Chen..基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究[J].物理学报,2007,56(7):4224-4228,5.
