半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：42-44,3.
低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响
Enhancement of Ferromagnetic Transition Temperature in (Ga, Mn) As by Post-Growth Annealing
摘要
关键词
稀磁半导体/铁磁性/分子束外延分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邓加军,赵建华,蒋春萍,牛智川,杨富华,吴晓光,郑厚植..低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响[J].半导体学报,2005,26(z1):42-44,3.基金项目
国家自然科学基金重点项目(批准号:10334030),国家重点基础研究专项(批准号:2001CB3095)和留学回国人员科研启动基金资助项目 （批准号:10334030）
