重庆工学院学报(自然科学版)2008，Vol.22Issue(11)：42-46,5.
SiC单晶生长炉温度场有限元分析及模拟
Finite Element Analysis and Simulation Study on Temperature Field of Silicon Carbide Single Crystal Growth Furnace
徐伟 1刘雪绞1
作者信息
- 1. 太原理工大学,理学院,太原,030024
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摘要
关键词
SiC单晶/温度场/有限元分析分类
矿业与冶金引用本文复制引用
徐伟,刘雪绞..SiC单晶生长炉温度场有限元分析及模拟[J].重庆工学院学报(自然科学版),2008,22(11):42-46,5.
