安徽大学学报（自然科学版）2004，Vol.28Issue(6)：42-47,6.
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
The influence on threshold voltage and gate capacitance of MOSFETs due to quantum effects
摘要
关键词
量子效应/阈值电压/栅电容/反型层/表面势分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
代月花,陈军宁,柯导明,孙家讹..量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响[J].安徽大学学报（自然科学版）,2004,28(6):42-47,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(60276042) （60276042）
安徽省自然科学基金资助项目(01044104) （01044104）
