物理学报2006，Vol.55Issue(8)：4253-4258,6.
ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度
The conduction process and the equivalent barrier height in ZnO-Bi2O3 based varistor ceramics
摘要
关键词
ZnO压敏陶瓷/归一化电压/等效势垒高度/导电过程分类
数理科学引用本文复制引用
成鹏飞,李盛涛,焦兴六..ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度[J].物理学报,2006,55(8):4253-4258,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50477023)资助的课题. （批准号:50477023）
