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Al-N共掺P型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能

简中祥 叶志镇 高国华 卢洋藩 赵炳辉 曾昱嘉 朱丽萍

半导体学报2007,Vol.28Issue(3):425-429,5.
半导体学报2007,Vol.28Issue(3):425-429,5.

Al-N共掺P型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能

Deposition of Al-N Co-Doped p-Type Zn0.95Mg0.05O Thin Films

简中祥 1叶志镇 1高国华 1卢洋藩 1赵炳辉 1曾昱嘉 1朱丽萍1

作者信息

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
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摘要

关键词

ZnMgO/p型掺杂/薄膜

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

简中祥,叶志镇,高国华,卢洋藩,赵炳辉,曾昱嘉,朱丽萍..Al-N共掺P型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能[J].半导体学报,2007,28(3):425-429,5.

基金项目

国家自然科学重点基金(批准号:50532060)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906)资助项目 (批准号:50532060)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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