|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：426-429,4.
✕
半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：426-429,4.

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

DC Performance of InGaP/GaAs HBT with Two Different Structures

林玲 1徐安怀 2孙晓玮 1齐鸣1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 折叠

摘要

关键词

异质结双极晶体管/InGaP/GaAs/直流特性

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

林玲,徐安怀,孙晓玮,齐鸣..两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析[J].半导体学报,2007,28(z1):426-429,4.

基金项目

国家重点基础研究规划资助项目(批准号:2002CB311902) （批准号:2002CB311902）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量3
|
下载量0
段落导航相关论文