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Ge 在 GaAs 液相外延中的行为

杨辉 梁骏吾

半导体学报Issue(4)：429,1.
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半导体学报Issue(4)：429,1.

Ge 在 GaAs 液相外延中的行为

杨辉 1梁骏吾1

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杨辉,梁骏吾..Ge 在 GaAs 液相外延中的行为[J].半导体学报,1988,(4):429,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

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