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氧源的射频离化对ZnO MOCVD材料生长与性质的影响

李峰 顾书林 叶建东 朱顺明 张荣 郑有炓

半导体学报2007,Vol.28Issue(3):430-434,5.
半导体学报2007,Vol.28Issue(3):430-434,5.

氧源的射频离化对ZnO MOCVD材料生长与性质的影响

Effects of Oxygen Source Ionization on the Growth and Properties of MOCVD ZnO Material

李峰 1顾书林 1叶建东 1朱顺明 1张荣 1郑有炓1

作者信息

  • 1. 南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093
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摘要

关键词

金属有机源化学气相沉积/光致发光/离化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李峰,顾书林,叶建东,朱顺明,张荣,郑有炓..氧源的射频离化对ZnO MOCVD材料生长与性质的影响[J].半导体学报,2007,28(3):430-434,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60276011,60390073) (批准号:60276011,60390073)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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